3nm工艺芯片量产良率突破

国内领先晶圆代工厂宣布，其自研3nm工艺良率已稳定突破70%，并完成首批高性能计算芯片的量产交付，用于下一代数据中心。 该工艺引入GAA晶体管和新型低介电常数材料，功耗较5nm降低35%，预计明年产能将提升两倍。